高量子效率和波长热稳定性308nm GaN/AlN量子点紫外LED的制备

　　近年来，由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途，AlGaN 基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。

　　随着Al 组分的升高，高质量和高电导AlGaN 材料的生长越加困难，AlGaN 基紫外LED 的效率急剧下降。如何制备较高量子效率和功率的紫外LED，成了当前急需解决的问题。

　　本文通过金属有机物气相外延方法，在(0001)面蓝宝石衬底上成功地生长了以GaN/AlN 量子点代替AlGaN量子阱作为有源区的紫外LED 外延片，并首次制备了电致发光波长为308 nm 的GaN/AlN 量子点紫外LED 器件。变温光致发光及瞬态发光光谱测试表明，该器件具有较高的量子效率。变电流电致发光光谱及芯片温度测试表明，该器件具有良好的发光波长热稳定性。