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高量子效率和波长热稳定性308nm GaN/AlN量子点紫外LED的制备
本文通过金属有机物气相外延方法,在(0001)面蓝宝石衬底上成功地生长了以GaN/AlN 量子点代替AlGaN量子阱作为有源区的紫外LED 外延片,并首次制备了电致发光波长为308 nm 的GaN/AlN 量子点紫外LED 器件。
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基于α-Si TFT 的AM-FED 器件的研究与仿真分析
研发人员设计了三极结构的FED 显示器件,在阴阳极板之间加入了栅极来收集电子。但是三极结构并不能彻底解决驱动电压高,以及显示均匀性差的问题。
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阳极氧化电压对TiO2纳米管阵列生长及场发射性能的影响
利用阳极氧化法在纯钛表面制备了规则有序的TiO2 纳米管阵列, 应用场致发射扫描电子显微镜、X 射线光电子能谱对纳米管阵列表面形貌、断面结构及元素组成进行表征, 并对所得样片的场发射性能进行测试.
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利用频域求解器模拟计算谐振腔的谐振特性
以“通过法测品质因数”的冷测实验为理论基础, 通过理论分析、数值模拟和冷测实验证明了利用三维电磁仿真软件的频域求解器也能模拟获得涂覆衰减材料的谐振腔本征模的谐振特性。
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