GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长
摘 要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿(111)方向择优生长,晶体质量较高.
关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In
分类号：TN304.055 文献标识码：A
文章编号：1672-7126(2008)增刊-009-04
Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3(0001) Substrates
Wang Ronghua Han Ping Cao Liang Mei Qin Wu Jun Ge Ruiping Xie Zili Chen Peng Lu Hai Gu Shulin Zhang Rong Zheng Youliao
基金项目：国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103,2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn
作者单位：王荣华(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
韩平(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
曹亮(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
梅琴(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
吴军(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
葛瑞萍(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
谢自力(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
陈鹏(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
陆海(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
顾书林(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
张荣(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
郑有炓(南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093)
参考文献：
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