集成电子材料研究进展

集成电子材料研究进展

李言荣，张万里，刘兴钊，朱俊等

(电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054)

　　摘 要：本报告首先分析了当前我国电子信息产业的现状，特别是电子材料与元器件行业的状况，结合国际电子信息技术的发展趋势，阐述了研究集成电子材料的重要意义，主要介绍了介电/GaN 集成电子薄膜生长控制与性能研究情况。如采用TiO2(诱导层)/MgO(阻挡层)的组合缓冲层方法控制介电/GaN 集成薄膜薄膜生长取向、界面扩散，保护GaN 基半导体材料的性能，降低介电/GaN 集成薄膜界面态密度，建立界面可控的相容性生长方法。通过集成结构的设计与加工，研制出介电增强型GaN HEMT 器件和高耐压GaN 功率器件原型，以及一体化的集成微波电容、变容管、压控振荡器、混频器等新型元器件。

　　关键词: 薄膜技术，电子材料，电子器件