溅射气压对PI衬底CIGS薄膜太阳电池Mo背电极的影响

2013-04-29 李志国 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室

　　柔性聚酰亚胺(PI)衬底Cu(In,Ga)Se2(简称CIGS 或铜铟镓硒)薄膜太阳电池具有高质量功率比、适合卷对卷规模化生产和成本低等优势，其商业发展前景受到广泛关注。Mo 薄膜作为CIGS 薄膜电池的背电极，其热膨胀系数低于PI 衬底，因此研究与之匹配的Mo 薄膜非常重要。

　　本文采用直流磁控溅射方法在PI 上沉积Mo 背电极，研究不同溅射气压对Mo 薄膜电学特性、结构特性及对CIGS 薄膜太阳电池的影响。

　　结果表明，随着溅射气压提高，PI衬底上Mo 薄膜的残余应力降低，表面裂纹明显减少，但薄膜结晶质量变差，电阻率明显升高，附着力下降。结合Mo 背电极对附着力、残余应力和电学特性的要求，最终制备出了适合PI衬底CIGS 薄膜太阳电池的Mo 背电极，电池器件性能明显提高。