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ZnO一维纳米材料在Cu-Zn合金基片上的大面积直接生长及场发射性能研究
以Cu-Zn合金片为基底并提供Zn源,在较低的温度下进行氧化处理,直接在Cu-Zn合金片上大面积地生长出不同形貌的ZnO 一维纳米材料,包括纳米线、纳米带、纳米棒及纳米带准定向阵列等。
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金属Ni基片上碳纳米管的合成及场发射性能研究
碳纳米管(CNTs)有高的机械强度、奇特的电学性能、优良的储氢能力等一系列的物理化学性质,在复合材料、纳米电子学器件、微型传感器、电动机械装置等方面具有广阔的应用前景。
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第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响
利用第一原理的方法来计算了完整MgO以及含F、F+ 、F 2+ 空缺的MgO 晶体的电子结构的变化情况,通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO 形成氧空缺后在禁带中引入了能级。
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X波段三间隙耦合腔型输出回路间隙阻抗的模拟计算
通过Ansoft HFSS软件模拟的手段,在X 波段设计了一个三模重叠的三间隙耦合输出腔,讨论了群时延和间隙阻抗之间的相互关系,分析了群时延对间隙阻抗频率特性的影响
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等离子冷床炉熔炼高密度夹杂物去除研究
冷床炉是一个开放的系统,由于将熔化、精炼、凝固过程分离,不但可以实现各个过程的独立、精确控制,而且去除高密度夹杂物效果明显,在许多方面具有VAR 所无法比拟的优势。
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模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源
通过对常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源中阴极电极斑条表面电场分布的计算,证实了两种工作模式下该电子源都具有良好的栅控能力。
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