C60分子在石墨烯/钌表面生长行为的研究

2013-04-29 李 更 中国科学院物理研究所

　　在室温下，C60 分子在完美的石墨烯/钌摩尔斑点结构上公度生长会形成一种周期大约为3 nm 的超结构。未充分退火的石墨烯/钌样品表面有着各种各样的缺陷，在这样的基底上C60 分子依然排列成为周期性密堆的结构而不受样品表面台阶、缺陷以及起伏的影响。

　　这些实验现象说明在石墨烯/钌表面C60分子间的相互作用强于分子与基底的相互作用，从而主导了C60 分子的生长行为。DFT 计算也证实了结论。

　　本文的工作对于研究石墨烯/钌表面的超结构以及未来全碳电子器件可能会有一定的帮助。