中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会征文通知

　　由中国电子学会真空电子学分会主办，微波电真空器件国家级重点实验室协办的中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会定于2013年9月举行，现开始进行学术论文征集。征文有关事项通知如下，热切希望真空电子学分会委员、中国电子学会会员及全国真空电子学相关领域的专家和工程技术人员，各高等院校、生产厂和研究所的教授、学者、专业人员等踊跃撰稿，积极参加。

一、征文内容(专题1-7)

　　1、微波真空电子器件及其他真空电子管：行波管、速调管、正交场器件、多注器件、快波器件、自由电子激光、高脉冲功率器件及空间电荷控制管、离子管、气体放电器件、真空开关管等。

　　2、场致电子发射：场致电子发射的新材料、新工艺和新原理及相关理论、模型和模拟计算;场发射器件的结构设计、制备技术、性能表征及评估方法;场致电子发射显示的荧光粉和驱动技术。

　　3、真空微纳电子器件及微纳加工技术：真空微纳电子学的理论、模型和模拟计算研究;真空微纳电子器件及物理研究;微纳加工技术;太赫兹真空辐射源。

　　4、显示器件：CRT技术、平板显示技术(等离子)。

　　5、真空光电器件和电光源：微光摄像管、光电倍增管、紫外光电管、核辐射计数器、工业和医疗X光管、真空电光源。

　　6、系统和应用：微波/毫米波功率模块MPM、集成电源适配器、线性化器、可靠性技术、系统应用技术(雷达、电子对抗、通信、制导、医疗、工业加热、电力系统等)、真空设备技术。

　　7、基础理论和技术：CAD技术、电真空材料和工艺、元件、电子发射、射频击穿、测量技术、电子光学、互作用电路、收集极、热分析和控制。

二、论文的格式要求

　　本次学术会议将出版精美论文集，经过会议学术论文评审组审查通过的论文将被收录进论文集。

　　1、格式要求：文章用A4纸幅面，页面设置为上、下各2.0厘米、右2.0厘米、左2.5厘米(装订边)，每篇文章不超过五页。来稿请注明所属专题，作者通信地址、邮编及传真、电子信箱或电话(手机)号，稿件经专家组审定收录后，将通知第一作者。

　　2、论文征集截稿日为2013年6月30日。稿件请用电子邮件投递，收到电子回函表示确认。

　　3、论文由几个部分组成：题目、作者姓名、工作单位、摘要、关键词、引言、正文、参考文献。题目用3号黑体字，作者姓名用4号仿宋，作者单位用5号仿宋，摘要、关键词引言及正文用5号宋体，文中的标题或段落标题为5号宋体加粗。

　　4、来稿须在末尾(参考文献后)注明本论文是否口头报告。最终是否安排口头报告将由论文评审专家组确定，并在正式会议通知中告之作者。

三、真空电子学分会第十九届学术年会将采用大会报告与分组口头报告方式，口头报告一律要求采用Power Point形式，会议将提供计算机、投影仪。

四、本届学术年会设立35岁以下青年(第一)作者优秀论文奖，一等奖2名、二等奖3名、三等奖4名，奖金分别为2000元、1000元和500元，并颁发由中国电子学会真空电子学分会与大功率微波电真空器件技术国家重点实验室联合署名的获奖证书。

五、稿件为非密公开级，请作者办理所在单位的公开发表手续，收到稿件即认为已办妥，文责自负。

六、通讯地址：北京749信箱科技处，100015　　　　邮件地址：g.wang163402@139.com

　　场致电子发射专题论文请发至中科院物理所李俊杰：jjli@aphy.iphy.ac.cn

　　联系人：王刚、王军电话：010-64386916、010-84352168　　　　传真：010-64362878