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推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

大尺寸ZnS真空气相沉积炉的研制

介绍了CVD ZnS 生产工艺、真空气相沉积炉技术性能、设备结构组成及特点。该真空气相沉积炉是制备大尺寸ZnS 的关键设备。
高压真空开关管黄斑现象的剖析

为分析高压真空开关管黄斑现象，在本文中介绍了原因分析过程———运用扫描电镜、X 射线荧光测厚等分析方法进行了分析，结合生产实践进行了相应的工艺实验，找到了引起黄斑现象的原因和解决措施。
卷心菜真空预冷方式的实验研究

本文选取卷心菜为研究对象，研究了其适宜的预冷终压，对直接真空预冷、喷水真空预冷、喷水加保鲜膜预冷和表面包覆吸水膜等真空预冷方法进行了降温效果和失水率的实验对比。
ITO 薄膜方块电阻测试方法的探讨

针对ITO 薄膜方块电阻测试方法，文章探讨了常规的四探针法与双电测四探针法在实际生产中的适应性、准确性。根据玻璃基板上的ITO 薄膜和聚脂薄膜上的ITO 薄膜的结构、物理特性不同特点，测试方块电阻时应注意的细节作
2024铝合金获得高强韧性的冷轧真空热处理工艺

本文利用拉伸实验机、透射电子显微镜以及EDS 能谱分析等现代化实验分析手段，研究一种能对2024 合金工业化生产起指导意义的热处理工艺，使该合金同时具有高的强度和较高的伸长率。
中频磁控溅射TiAlN薄膜的制备与性能研究

本文采用中频磁控溅射法，在硬质合金YG6上制备了TiAlN薄膜，通过XRD、SEM、EDS、体式显微镜、显微硬度仪和划痕仪分别对薄膜的相结构、表面与断口形貌、成分以及主要性能进行了测试分析。
真空冷冻干燥超细杜仲粉体的研制

本文对真空冷冻干燥超细杜仲粉体的研制方法、技术、设备及检测质量控制等作了阐述。
氢化非晶硅薄膜制备及其椭圆偏振光谱测试分析

本文采用射频磁控溅射法制备了a-Si:H 薄膜，通过椭圆偏振光谱对不同气压下薄膜的厚度、折射率和消光系数进行了测试和研究。
旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算

本文应用ANSYS 有限元方法模拟分析单旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱磁控溅射阴极表面磁场分布规律。
电推进器在GEO静止卫星上的安装策略

本文研究了分别在三轴稳定卫星的太阳电池阵列上和卫星星体上安装电推进器时电推进器的安装布局，为GEO静止卫星电推进器的安装布局提供解决策略，从而为卫星结构设计提供参考。
电子束物理气相沉积热障涂层抗冲蚀性能研究

通过AIP和EB-PVD技术制备的热障涂层，在其抗冲蚀性能评价方面仍然没有详细的报道。为此，本研究利用AIP法制备HY3涂层，利用EB-PVD制备YSZ陶瓷面层，对其组分、相结构和抗冲蚀性能进行系统研究，并对评价设备作介绍。
共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究

本文通过采用新的制备方法(直流- 射频双靶共溅射)成功制备出Cu掺杂的p 型ZnO薄膜。并分析了Cu靶溅射功率与氧分压对薄膜结构及性能的影响。
溅射镀膜机理

溅射过程即为入射离子通过一系列碰撞进行能量交换的过程，入射离子转移到逸出的溅射原子上的能量大约只有原来能量的1%，大部分能量则通过级联碰撞而消耗在靶的表面层中，并转化为晶格的振动。
溅射镀膜现象

具有一定能量的离子入射到靶材表面时，入射离子与靶材中的原子和电子相互作用，出现一系列溅射镀膜现象，其一是引起靶材表面的粒子发射，包括溅射原子或分子、二次电子发射、正负离子发射、吸附杂质解吸和分解、光子
衬底材料对空心阴极沉积氢化微晶硅薄膜的影响

研究了衬底材料对微晶硅薄膜生长的影响，并在低温下制备出微晶硅薄膜，这个对于柔性基材尤为重要。具有高等离子体密度和低电子温度的空心阴极等离子体增强化学气相沉积(MHC-PECVD)被用来生长微晶硅薄膜。
Cu（In,Al）（S,Se）2薄膜的三靶共溅射制备与性能表征

本文采用磁控三靶(CuIn0.7Al0.3靶、Al靶、Cu靶)共溅射的工艺制备了CIA合金预制膜，以溅射的方式引入掺杂的Al元素。之后再经过不同温度和时间下的固态源硫硒化退火，以期研究制备出具有黄铜矿结构特征的CIASSe薄膜。
栅绝缘层过孔的反应离子刻蚀研究

本文是在现有ADS产品工艺流程的基础上，将Active层与GI层合并，采用两步法进行GIHole刻蚀。
聚碳酸酯基片超疏水表面的制备与表征

本文将以PC为基片，通过氧气等离子体刻蚀和表面氟化处理来获得PC基片的超疏水表面，并从表面形貌结构和表面化学组成两方面来分析PC基片超疏水化的过程以及磨损失效的原因。
铁氧体表面耐高温Ni-V/Ag复合金属化薄膜的研究

在现有研究的基础上，提出了以磁控溅射Ni-V/Ag复合层作为铁氧体的金属化膜层，进一步将薄膜承受420℃高温无铅焊锡的时间提升到10s，并详细研究了高温下Ni-V/Ag膜层与焊锡的反应过程与金属间化合物(IMC)。
欠氧化气氛下等离子体辅助脉冲直流磁控溅射高纯度Al2O3薄膜

本文首先采用中频孪生靶非平衡闭合磁场脉冲直流反应磁控溅射方法，进行了Al2O3薄膜的工艺研究，包括溅射电压与氧流量的关系。在此基础上，提出了射频等离子体辅助溅射的方法，研究了射频等离子体源功率与Al2O3光学性