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推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

山楂浆物性参数的测定对冻干工艺参数的优化

山楂浆共晶点和共熔点温度以及含水率等物性参数的测定对于山楂浆冻干工艺参数的优化有着重要的意义。
真空吸盘的真空系统选用及吸盘提升力的计算

讲述了真空吸盘的真空系统选用要点以及真空吸盘提升力的计算。
永磁机构断路器的工作原理

介绍了真空断路器的发展及永磁机构型断路器的主要结构、性能,着重分析了永磁操动机构的控制系统原理,将永磁机构与真空断路器进行完美匹配,提高了断路器的可靠性及寿命。
无栅网离子源的工作原理

无栅网离子源的工作原理类似于磁控溅射,阳极偏压在磁力线束缚电子的区域产生高密度等离子体(high ne ionization region),离子的飞行轨迹不受磁场的影响,在偏压VDC作用下加速向阴极飞行,在开口处形成能量为VDC离子束,
电子回旋共振(ECR)离子源的工作原理

ECR离子源微波能量通过微波输入窗(由陶瓷或石英制成) 经波导或天线耦合进入放电室, 在窗上表面的永磁系统产生的高强磁场作用下, 放电室内的气体分子的外层电子做回旋运动。
RF-CCP(电容耦合) 和RF-ICP(感应耦合)离子源的结构原理

电容耦合方式是由接地的放电室(由复合系数很小的材料如石英做成)和引入的驱动电极作为耦合元件，射频ICP源的发射天线绕在电绝缘的石英放电室外边,当通过匹配网络将射频功率加到线圈上时,线圈中就有射频电流通过,于是
Kaufman低能宽束离子源的结构原理

Kaufman离子源是由阴极(Cathode)、阳极(Anode)、栅极(Grids)、放电室圆筒构成气体放电室(Discharge Chamber),栅极构成离子光学系统。
磁控溅射法镀制红外低辐射膜的光热性能

本文对薄膜的节能原理、制备方法、膜层结构及其光学、热学性能进行了综述, 较详细地论述了目前低辐射薄膜研究中较为突出的金属银氧化和介质层增透的问题。
红外低辐射膜的典型膜层结构

低辐射薄膜的中间金属层起着反射红外线的重要作用,一般选用银,因它在对红外光具有较高反射率的同时,对可见光还具有较高的透射率,按银膜的数量可分为单银膜、双银膜和多银膜,每层银膜厚度一般在10~18nm之间。
红外低辐射薄膜的节能原理

膜层的电导率σ值越大, 它对入射光的反射率越大; 电磁辐射的频率υ越小(或波长越大) , 膜材料的反射率越大。所以, 导电薄膜对波长较大的红外线具有高反射性。
射频识别系统在冻干工艺的应用

按照冻干工艺的需要,在射频卡中写入物料的种类、形状、分切方式、冻干层厚度、面积、加热方式、搁板层数等相关参数,再把射频卡贴在需要冻干的物料上。当贴有射频卡的物料进入安装在冻干机上的读写器的工作范围,读写
射频识别系统RFID的工作原理

射频识别( Radio Frequency Identification) 是一种非接触的自动识别技术。射频识别系统包括读写器、电子标签(射频卡)和控制单元三部分。
ZnO薄膜的器件应用

ZnO薄膜的主要应用有用作光伏电池的电极和窗口材料、在发光器件的应用、ZnO基紫外探测器、作为缓冲层/衬底、压敏器件、气敏传感器、压电器件。
ZnO薄膜的主要性质

本文讲述了ZnO薄膜的晶体结构、光学性质、电学性质等性质。
化学法制备ZnO薄膜的方法

PECVD法、SSCVD法、MOCVD法、喷雾热解法(Spray Pyrolysis)、溶胶- 凝胶法是目前主要的一些化学制备ZnO薄膜的方法。
物理法制备ZnO薄膜的方法

物理法制备ZnO薄膜的的主要方法有溅射法(Sputtering)、脉冲激光沉积法(PLD)、分子束外延法(MBE)、原子层外延生长法(ALE)等。
宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺

ZnO薄膜的制备方法有多种,大致分为物理法和化学法,可以满足不同的需求，由于化学稳定性好,良好的机电耦合性,工艺简单,这使得ZnO 薄膜在近年来受到越来越多的重视,成为化合物半导体领域中的一个研究热点,基于ZnO的器
热处理和掺杂对TiO2薄膜折射率的影响

随着热处理温度的升高,薄膜折射率也逐渐增大。850℃热处理后的氧化钛薄膜折射率最高为2.34。适量掺杂CeO2会提高薄膜的折射率,过量掺杂CeO2反而会降低折射率。
电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响

基片温度、真空度、沉积速率、其他工艺条件等都对电子束蒸发法工艺对TiO2薄膜折射率的影响。
有机玻璃蒸发镀铝的实验结果及铝膜分析

增加铬过渡层的样品, 铝膜结合的非常牢固, 附着力得到很大的提高。采用电子束蒸发技术, 在使用合适的工艺参数下, 可以在有机玻璃表面制备附着力好、耐腐蚀的高反射铝膜。