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Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脉冲激光沉积
本文采用PLD技术,在Si(111) 基片上制备Mg2Si薄膜,研究PLD工艺参数对Mg2Si薄膜制备的影响,通过工艺优化制备得到纯相、结构均匀、表面平整的Mg2Si薄膜。
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NaCl结构VC薄膜生长过程中原子迁移的第一性原理研究
本文采用第一原理计算的方法研究了C和V原子在NaCl 结构VC 表面和晶体内部(111) 面上的迁移条件,并在此基础上讨论了工艺参数对薄膜生长的影响。
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有机溶剂对氧化铋纳米结构形貌和场发射性能的影响
为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试。
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氧化处理TiNi合金薄膜的摩擦性能及其对滚动直线导轨滚道的防护
本文采用两种不同氧化工艺实现TiNi 薄膜的氧化处理。利用球-盘式摩擦实验机考察了干摩擦条件下表面氧化处理后TiNi 薄膜的摩擦学性能,并镀制到导轨表面,期望提高导轨的减摩耐磨性能,从而提高其传动和定位精度。
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脉冲偏压对离子束辅助电弧离子镀TiN/Cu纳米复合膜结构及硬度的影响
本文采用离子束辅助电弧离子镀技术在高速钢(HSS) 基体上沉积TiN/Cu纳米复合膜,研究基体脉冲偏压幅值对TiN/Cu纳米复合膜的成分、结构及硬度的影响。
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基体放置状态与脉冲偏压幅值对大颗粒形貌和分布的影响
本文通过改变基体上施加的脉冲偏压幅值、靶基面相对位置和基体的放置状态,来研究这些参数对电弧离子镀中大颗粒缺陷数目和分布的影响规律,为选择合适的靶基表面相对位置和脉冲偏压幅值,减少甚至消除大颗粒引起薄膜
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