真空技术在工业上应用

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推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

真空触发开关的起弧稳定性实验

TVS 的开通过程本质上是电弧燃烧过程。针对TVS 的起弧稳定性,搭建了一套场击穿型TVS 的触发和实验系统,从电气特性和图像特性两个方面记录其起弧过程.
真空触发开关(TVS)的触发和实验系统

真空触发开关(TVS)的实验时从不加续流到高能量的续流连续可调,改变触发电流,观察TVS 在不同的脉冲下的开通特性。
超音速电弧喷涂技术

超音速电弧喷涂是最新研制出的制备表面防腐耐磨涂层的新技术,能广泛用于防腐、修复和机械制造等领域。
负偏压对磁控溅射氧化铝薄膜的影响

适当的负偏压影响磁控溅射Al2O3薄膜的性能，有利于获得高阻隔性的包装材料。
真空触发开关(TVS)的基本结构

真空触发开关( triggered vacuum switch ,TVS) 的基本结构主要包括一个绝缘外壳(陶瓷或玻璃材料) 、一个金属屏蔽罩、一对相距为d的主电极和一个触发极.
ITO薄膜成份的深度分布和相结构XPS分析

用XPS测试经过磁控溅射工艺优化的ITO薄膜的结果表明:该ITO 薄膜的内部Sn 以SnO2 相存在,In 以In2O3 相存在,含量分别在518 %和85 %左右。
ITO薄膜的磁控溅射关键工艺参数的优化

通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO 薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响。实验结果表明:当基底加热温度为295 ℃、溅射电压为250V、氧分压占镀膜室总压力的8 %即主要工艺
23_8N奥氏体耐热钢热处理工艺研究

对柴油机气门用2328N奥氏体耐热钢按不同工艺进行了固溶和时效处理,检测了不同热处理状态钢的显微组织和硬度。结果表明,固溶温度会影响2328N钢时效后的硬度,并且随着时效温度的提高和时效时间的延长,晶内碳化物不断增
水溶性淬火介质在现代热处理中的应用研究

通过实验分析与生产实际应用，JEF型水溶性淬火介质完全可以代替油，且它的淬火冷却速度可通过浓度来调整。
低真空变压热处理技术的特点和工艺特点

本文讲述了低真空变压热处理技术的特点以及相关的低真空变压热处理炉优良的热处理工艺介绍。
CuAlO2的结构和能带特点

从理论上讲CuAlO2具有较高的热电优值，材料具有比较高的Seebeck系数和电导率,同时层状结构有利于声子散射,降低热导率。
管芯封装与应用对半导体照明光源的影响

对于LED 的封装，除了热学处理、光学封装设计之外，新型高转换效率荧光粉材料、高热导率低损耗封装树脂材料、稳定有效驱动电源模块等相关技术值得研究与探讨。由于LED 光源与传统光源在形貌上有很大差别，在外观上如
芯片制作对半导体照明光源的影响

提高芯片性能，制作低欧姆接触电极、改善电极拓扑结构，降低器件工作电压等，能够有效的提高半导体照明光源器件的光提取效率。
材料外延与评测技术对半导体照明光源的影响

为提高LED器件的流明效率，要改善晶体质量，采用ECR等离子体辅助MOVPE方法进行GaN材料的外延生长。
国内外照明光源的现状与挑战

我国大陆的半导体照明在面临机遇的同时，也存在着严峻的挑战。如何实现半导体照明关键技术的大发展，突破国际知识产权封锁，成功实现半导体照明的自主化，是国内半导体照明相关行业、研究机构所面临的共同问题。
半导体照明光源的基本原理

半导体发光二极管是半导体照明的核心，其发光原理为在p-n 结正向偏置条件下，通过注入到器件有源区的电子空穴对自发辐射复合，将电能转化为光能。
氧化锌(ZnO)薄膜的性能分析

从ZnO薄膜的晶体结构、光学性能、电学性能、光电特性、气敏特性等方面综述了ZnO 的研究重点和应用前景。
氧化锌(ZnO)薄膜的结构分析

ZnO薄膜为宽带隙半导体，禁带宽度约3.3eV，晶体结构为六方形纤锌矿结构。优质的ZnO薄膜具有C轴择优取向生长的众多晶粒，每个晶粒都是生长良好的六方形纤锌矿结构。
脉冲磁控溅射的工作原理和工作方式

脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲可分为双向脉冲和单向脉冲。
反应磁控溅射的工作原理和迟滞现象的解决方法

反应磁控溅射技术是沉积化合物薄膜的主要方式之一。沉积多元成分的化合物薄膜，可以在溅射纯金属或合金靶材时，通入一定的反应气体，如氧气、氮气，反应沉积化合物薄膜，这就称这反应磁控溅射。