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推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

非平衡磁控溅射的结构和运用

非平衡磁控溅射系统有两种结构，一种是其芯部磁场强度比外环高，磁力线没有闭合。另一种是外环磁场强度高于芯部磁场强度，磁力线没有完全形成闭合回路。
平衡磁控溅射的概念和优缺点

平衡磁控溅射即传统的磁控溅射，是在阴极靶材背后放置芯部与外环磁场强度相等或相近的永磁体或电磁线圈，在靶材表面形成与电场方向垂直的磁场。
碳化钒薄膜的力学性能分析

利用微力学探针表征碳化钒薄膜力学性能，其硬度和弹性模量分别达到35.5GPa 和358GPa。随着C2H2 分压的提高,薄膜形成六方结构的γ-VC ,并逐渐产生非晶碳相,硬度和弹性模量随之降低。
碳化钒薄膜的成分与微结构分析

利用EDX、XRD、SEM、AFM和微力学探针等表征在Ar、C2H2 混合气氛中通过反应磁控溅射法制备了一系列不同碳含量的碳化钒薄膜的微结构和力学性能。
反应溅射技术制备碳化钒薄膜的实验

采用在Ar2C2H2混合气体中的射频反应磁控溅射技术可以方便地合成碳化钒薄膜。但是,碳化钒薄膜的化学成分、相组成、微结构以及相应的力学性能对C2H2 分压非常敏感。
衬底温度对ZAO薄膜沉积速率的影响

ZAO薄膜沉积速率随衬底温度的变化不大。
溅射功率对ZAO薄膜沉积速率的影响

ZAO薄膜的沉积速率随溅射功率的增大几乎成线性增长。
反应气压对ZAO薄膜沉积速率的影响

在反应气压增大的情况下, ZAO薄膜的沉积速率不断上升, 达到最大值后, 又随气压的增大不断下降。
O2气流量对ZAO薄膜沉积速率的影响

ZAO薄膜沉积速率随O2气流量的增加显著降低, 靶面溅射模式由金属模式转变为氧化物模式，而且这种转变趋势在改变其他参数时依然明显。
直流反应磁控溅射ZnO:Al薄膜的制备与膜厚的测量

直流反应磁控溅射法制备ZAO薄膜具有低的沉积温度,高的沉积速率,薄膜厚度可控性好,合金靶易于制作等优点。但是这种工艺的稳定性不易控制。
槽式真空热管集热器的火用效率分析与计算模型建立

分析了槽式真空热管集热器的热效率和火用效率，并以此为基础确定各个因素，主要是槽式集热器的聚光比、光照强度、集热流体的温升对集热效率和火用效率的影响。
槽式真空热管集热器的热效率分析

随着集热器聚光比和太阳光光照强度的增加，槽式真空热管集热器集热效率是急剧增加，然后逐渐趋于平缓；
新型槽式真空热管集热器的结构

单轴跟踪槽式集热器主要由集热系统和跟踪系统组成。集热系统包括槽式聚光器、真空管、热管以及其它机械部件等。
ITO薄膜的透射谱的建模及解谱

用直流磁控溅射法在普通载波片上制备了厚度130nm 左右的ITO 薄膜,分别在100、200、300 和400 ℃下退火1h.测量了退火前后几个样品的XRD 和透射率,利用椭偏解谱方法对几个样品的透射谱进行建模及解谱.
膜基结合力的划痕法实验分析

在瑞士CSM仪器的微划痕测试仪对真空多弧离子镀设备制备的WC2Co/TiN膜基结合力进行划痕实验,系统地介绍了如何利用MST划痕仪所测的声发射数据、摩擦力数据及光学、电子扫描划痕形貌来综合评定膜基结合力,并用WS292 划
划痕法评定膜基结合力的实验方法

划痕法是表征膜基结合力最广泛、也是研究最多的一种方法。划痕法表征膜基结合力的关键是如何判定临界载荷。
真空触发开关TVS的导通过程

正极性接线的真空触发开关TVS 样品经触发后能有效地开通，触发成功率高，延时分散性比较小，燃弧稳定，能够在小电流过零时产生有效的截流。
真空触发开关(TVS)的触发系统概述

针对场击穿型真空触发开关TVS触发比较困难的特点，在触头表面涂敷TiH2材料，利用TiH2的脱氢产生大量的初始等离子体，可以有效地降低触发电压，提高触发可靠性。
真空触发开关(TVS)的基本结构和工作过程

TVS的基本结构主要包括一个绝缘外壳、一个金属屏蔽罩、一对相距为d的主电极和一个触发极，管内真空度一般维持高真空。TVS的工作过程通常包括触发阶段和主间隙导通阶段。
真空吸盘技术在搬运薄钛板材中的应用

介绍自行研制的一种用于专用设备上的自动上、下料机械手,论述真空吸盘技术的应用、吸盘材料的选择、吸力的计算、真空度、真空泵等的选择,以及自动程序和机械手的自动化搬运过程。