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Ti-Al-Si-N涂层界面微结构研究
采用多元等离子体浸没离子注入与沉积装置制备Ti-Al-Si-N涂层,借助X射线衍射仪、X射线光电子能谱、透射电子显微镜、纳米探针和原子力显微镜等系统研究涂层界面微结构与力学性能。
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电弧离子镀与磁控溅射复合技术制备Ti/TiN/TiAlN复合涂层的组织结构与力学性能
采用磁控溅射和电弧离子镀技术,在高速钢基体上制备了Ti/TiN/TiAlN复合涂层。采用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、显微硬度计、微米划痕仪等方法研究了镀覆条件对复合涂层的形貌、组织结构和力学性能的影响。
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原子层沉积制备VO2薄膜及特性研究
本文旨在利用ALD 技术,以VO(acac)2和O2分别作为钒源和氧源,以玻璃为基底,在实现饱和吸附的前提下,通过改变沉积条件以及退火条件来研究不同反应温度及退火条件对VO2薄膜结构及性能的影响,为后续VO2薄膜进一步研
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ECR等离子体刻蚀增强机械抛光CVD金刚石
本文采用ECR等离子体刻蚀与机械抛光相结合的方法抛光CVD金刚石,并与单纯的机械抛光CVD金刚石相比较,发现在机械抛光中增加ECR等离子体刻蚀能明显增强机械抛光效率,特别是在机械抛光前期,组合抛光效率是机械抛光效
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DC-HCPCVD法低温低压下纳米金刚石膜的制备及生长特性研究
本文在CH4/H2气氛下,在低温低压下低成本生长纳米金刚石膜,研究所得纳米金刚石膜的组成结构特点,扩展直流热阴极PCVD法纳米金刚石膜制备工艺。
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Si(111)基片上Mg2Si薄膜的脉冲激光沉积
本文采用PLD技术,在Si(111) 基片上制备Mg2Si薄膜,研究PLD工艺参数对Mg2Si薄膜制备的影响,通过工艺优化制备得到纯相、结构均匀、表面平整的Mg2Si薄膜。
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NaCl结构VC薄膜生长过程中原子迁移的第一性原理研究
本文采用第一原理计算的方法研究了C和V原子在NaCl 结构VC 表面和晶体内部(111) 面上的迁移条件,并在此基础上讨论了工艺参数对薄膜生长的影响。
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