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真空镀膜

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电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

钢基CVD 金刚石薄膜的制备、微结构及其机械性能的研究

通过本文的研究，在钢基上CVD 金刚石薄膜的机械和耐腐蚀性能方面取得了明显的突破，将有利于推动这种具有优良性能的耐磨涂层体系的工业化应用。
高迁移率Al-In-Zn-O 氧化物薄膜晶体管的研究

为了降低工业化成本，溶液法制备TAOS-TFT 受到了研究人员的青睐。然而，溶液法制备的氧化物半导体薄膜由于缺陷的存在，从而使得器件的迁移率较低、关态电流较大。
基于反铁磁材料的室温垂直交换耦合作用和隧道各向异性磁电阻效应

研究了垂直磁化的Co/Pt 和面内磁化的反铁磁IrMn 之间的交换耦合作用，以及隧道结[Pt/Co]/IrMn/AlOx/Pt 的隧道各向异性磁电阻效应(TAMR)。
化学气相沉积金刚石薄膜的紫外脉冲准分子激光抛光

目前的热化学抛光法、化学机械抛光法等接触式抛光方法存在易使金刚石膜受损并可能引入其它缺陷和杂质等缺点，限制了其应用范围。
掺铝氧化锌薄膜的低温发光特性

使用水热法在石英衬底上制备了掺铝氧化锌薄膜，采用X 射线衍射仪, 扫描电子显微镜和低温光致发光谱技术对薄膜的微结构和发光性能进行了表征。
基于过滤阴极真空电弧镀(FCVA)制备类金刚石薄膜(DLC)及其场发射性能分析

本课题通过FCVA 方法制备DLC 薄膜，利用拉曼光谱、AFM 等方法，分析其内部结构，表征其微观结构形貌，并测试场发射性能。
影响磁控溅射制备TiO2 薄膜性能的因素研究

从研究制备条件对Ti02薄膜的透射率及光学常数的影响出发，利用分光光度计测量薄膜的透射率，椭圆偏振光谱仪作为确定薄膜光学参数的测试仪器，研究了不同制备条件对Ti02薄膜光学特性的影响。
Ar 离子轰击CeO2-x(111)薄膜的共振光电发射研究

利用X-射线光电发射谱和同步辐射共振光电发射谱研究了外延生长的CeO2-x(111)薄膜在Ar 离子轰击作用下电子态结构的变化。
离子束辐照Y-Co-Nb 和Y-Co-Ti 金属多层膜制备复合金属玻璃

本研究尝试采用离子束辐照金属多层膜制备晶态-非晶态、双相非晶态复合材料。
含氢类金刚石薄膜的制备及其光学常数研究

利用非平衡磁控溅射技术制备类金刚石薄膜时，在放电气体中引入含-CH3 原子团的甲烷气体，即采用反应磁控溅射技术得到含氢DLC 薄膜。
离子源对中频反应溅射沉积AlN 薄膜结构和性能的影响

本文采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术沉积AlN 薄膜，通过中频反应磁控溅射解决了因“靶中毒”引起的“打火”和沉积速率大幅度下降的问题;同时利用离子源辅助沉积，进一步提高离化率，从而提高所沉积薄膜的质量。
高功率脉冲磁控溅射试验平台设计及放电特性研究

高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)因其高离化率而得到广泛关注，是目前的热点研究方向，为此我们搭建了试验平台并对HPPMS 的放电特性进行了研究。
掺氮类金刚石薄膜的微观结构和光学特性研究

采用射频等离子增强化学气相沉积法（PECVD）制备掺氮类金刚石薄膜(DLC:N)，通过原子力显微镜,拉曼光谱和椭圆偏振光谱等对试验样品进行研究。
非晶硅薄膜晶化过程的研究

多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能，是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的优质材料。
EI-5Z电子束镀膜机膜厚控制的改善

分析了EI- 5Z 型电子束镀膜机膜厚控制的特点。
离轴溅射法生长的BiFeO3 外延薄膜及其交换偏置效应

多铁性BiFeO3 薄膜吸引了人们广泛的关注，并且有望应用于磁电器件、自旋电子器件和微波器件等领域
一种基于溶胶凝胶法的低温制备氧化铟镓锌半导体薄膜的方法

非晶氧化物半导体因具有迁移率高、可见光透明性好、表面平整和可以室温制备等优良性能，作为非晶硅的替代材料受到广泛的关注。
高品质金刚石厚膜的微波等离子体CVD沉积技术

金刚石膜拥有许多优异的性能。在制备金刚石厚膜的各种方法之中，高功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法因其产生的等离子体密度高，同时金刚石膜沉积过程的可控性和洁净性好，因而一直是制备高品质金刚石厚膜的首
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