推荐电镀污水中有机污染物去除工艺
电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。
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基于溶胶凝胶法的二氧化锡复合薄膜的制备及表征
以金属无机盐SnCl2.2H2O、CuCl2.2H2O和无水乙醇为原料,用溶胶凝胶法制备了SnO2和CuO掺杂的CuO-SnO2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和电化学工作站对样品进行了表征。
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基于差异进化算法的椭偏测量数据反演
为解决椭偏法测量薄膜厚度和折射率实验数据处理较为复杂的问题,采用一种新的基于群体智能的优化算法—差异进化算法处理实验数据;以单层吸收薄膜的测量为例,利用该算法进行数据处理,
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SiO2/聚酰亚胺/SiO2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研
使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2绝缘膜。分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征
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p型微晶硅膜的研究及其在异质结太阳电池中的应用
首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50%的p型微晶硅,然后制备了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池。
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In0.14Ga0.86As/GaAs(4×3)表面的RHEED及STM分析
以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Ga0.86As
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H2O+O2气氛下电子束蒸镀制备MgO介质保护膜特性研究
采用电子束蒸镀法在H2O+ O2气氛下制备了MgO介质保护膜,通过扫描电镜、X射线衍射(XRD)等方法分析了MgO薄膜的表面、截面形貌与晶体结构,研究了不同H2O流量下得到的MgO薄膜对等离子屏放电特性的影响。
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CHN薄膜的制备方法与工艺研究
采用空心阴极等离子化学气相沉积方法,以NH3/H2的混合气体及CH4气体为原料反应气体,成功地制备了非晶的CHN薄膜,研究了CHN薄膜的沉积速率与直流电压及反应气体流量的关系。
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直流热阴极PCVD法间歇生长模式间歇周期的研究
采用直流热阴极PCVD方法间歇生长模式，在CH4-H2气氛常规制备微米晶金刚石膜的参数条件下，利用人工干预二次形核工艺，研究了间歇周期变化对制备纳米晶金刚石膜的影响。
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含Ag2O型高密度聚乙烯基真空蒸镀复合膜的抗菌性研究
本文通过真空蒸镀法制备得到含银型高密度聚乙烯(HDPE)基抗菌复合膜(Ag2O/HDPE) , 利用原子力显微镜、扫描电子显微镜及原子吸收光谱法测试手段对膜进行了表征, 并考察了复合膜的抗菌动力学和抗菌长效性, 以及对细菌的
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溅射气压对碳化钒薄膜微结构与力学性能的影响
采用碳化钒靶的磁控溅射方法在不同的Ar气压下制备了一系列碳化钒薄膜, 利用能量分析光谱仪, X射线衍射,扫描电子显微镜, 原子力显微镜和微力学探针研究了气压对薄膜成分、相组成、微结构以及力学性能的影响。
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