薄膜厚度对TGZO透明导电薄膜光电性能的影响

利用直流磁控溅射法, 在室温水冷玻璃衬底上成功制备出了可见光透过率高、电阻率低的钛镓共掺杂氧化锌( TGZO) 透明导电薄膜。

气相沉积硅薄膜微结构及悬挂键缺陷研究

在单晶Si(100)基体上利用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积法制备硅薄膜, 并采用X射线衍射谱(XRD)、透射电镜(TEM)、Raman光谱、电子自旋共振(ESR)波谱等实验方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微结构及悬挂键密度的变

激光热处理对类金刚石薄膜结构的影响

用真空阴极过滤电弧法沉积了厚度为2nm的类金刚石(DLC)薄膜, 研究了激光加热退火时薄膜结构和表面粗糙度的变化, 分析了激光加热功率对薄膜结构的影响。

CVD高纯钛成核热动力学及钛沉积速率分析

采用化学气相沉积(CVD)法制备高纯钛。

磁控溅射TiAlN和WTiN薄膜的制备与摩擦性能研究

采用双靶反应磁控溅射的方法在40Cr基体上制备了TiAlN薄膜和WTiN薄膜。

CAB玻璃基底不同方法制备的SiO2膜层性能研究

采用IAD、IBS、MS等三种方法在CAB玻璃上制备了SiO2膜层,通过纳米压痕和划痕仪测量了膜层的纳米硬度和摩擦系数;利用傅里叶转换红外光谱仪对薄膜光谱性能进行了测量;利用SEM,观测膜层表面和断面形貌。

不同退火工艺对AZO膜性能的影响

采用射频磁控溅射技术,制备了综合性能优良的AZO薄膜,通过不同退火工艺处理,研究了其对AZO薄膜的组织结构、电学性能及光学性能的影响。

掺钛类金刚石膜的制备及在手表外观件上的应用

为有效提高手表外观件表面的耐磨、耐蚀性能和装饰性能,采用阳极层流型气体离子源结合非平衡磁控溅射技术,制备了梯度过渡掺钛类金刚石(Ti-DLC)膜层,并对其在手表外观件上的应用进行研究。

CuInS2薄膜的单源热蒸发制备及其性能研究

以烧结合成的CuInS2粉末为原料,采用单源热蒸发技术在玻璃基底上沉积CuInS2薄膜。

TiO2纳米管上负载纳米铁的制备及其光电性能研究

AlN/WAlN/W太阳能选择性吸收多层薄膜研究

真空沉积掺杂制备PARYLENE功能薄膜研究

介绍了高分子材料PARYLENE的真空沉积机理及其优越性和不足。

高功率脉冲磁控溅射氩氮比对ZrN薄膜结构及性能的影响

采用高功率复合脉冲磁控溅射的方法(HPPMS)在不锈钢基体上制备ZrN薄膜,对比DCMS方法制备的ZrN薄膜,得出HPPMS制备的薄膜表面更平整光滑、致密,既无空洞、又无大颗粒等缺陷。

CdS薄膜的制备及其在CdTe电池中的应用

CSS方法制备的薄膜结晶较大,光学和电学性能好于CBD方法制备的薄膜,太阳能电池的光电转换效率达到10.9%.

半导体表面电学特性微观四点探针测试技术研究进展

综述了微观四点探针技术近年来的研究进展,主要包括测试理论、系统结构与探针制备。

镍硅颗粒膜的表面传导电子发射特性

提出采用镍硅颗粒薄膜作为表面传导电子发射显示的发射体材料，通过光刻和磁控溅射在两电极（10 μm 间隙）之间制备30 nm 厚的镍硅颗粒膜。

镀膜装置蒸发源发射形态与膜厚分布

根据蒸发源与基片之间的物理联系入手，分析基片- - 蒸发源距离对基片涂层均匀性的影响，进而对蒸发源与蒸发源、蒸发源与基片之间距离的确定，提出了自己的一些观点和看法。

磁控溅射镀膜膜厚均匀性设计方法

在现有的理论基础之上，对溅射镀膜的综合设计方法进行了初步的建立和研究，系统的建立可以采用“整体到部分，再到整体”这一动态设计理念，不断完善设计方法，并将设计方法分为镀膜设备工程设计、镀膜工艺设计和计算

磁控溅射沉积二氧化钒薄膜及其电致相变特性研究

采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。

SiC薄膜材料理论模拟研究的动态

SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。