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真空镀膜

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电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

不同测试条件下TiN薄膜的摩擦学特性研究

采用电弧离子镀技术在45#钢衬底表面沉积了TiN薄膜。用不同的仪器测试了在不同条件下TiN薄膜的摩擦学特性。
PI衬底上电沉积Cu薄膜的晶面择优取向

采用硫酸盐电沉积法，利用X 射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段研究了不同电沉积条件下在PI膜表面制备的Cu薄膜的晶面择优取向、平均晶粒尺寸及表面形貌。
SiO2薄膜制备的现行方法综述

SiO2薄膜的现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、热氧化法、凝胶－溶胶法等。本文系统阐述了各种方法的基本原理、特点及适用场合，并对这些方法做了比较。
直流反应磁控溅射在3003铝箔表面制备薄膜的研究

为有效提高3003铝箔表面光泽度、比面积及强硬度，采用直流反应磁控溅射的方法，在一定溅射参数条件下，选用高纯钼靶和钛靶对3003铝箔进行溅射实验。
宽光谱监控法镀制高精度增透膜的研究

本文介绍了使用宽光谱监控系统镀制增透膜的基本原理和技术特点，宽光谱光学镀膜监控系统在镀制宽带增透膜等宽带产品方面具有特有的优势。
一种崭新的镀膜技术——等离子体束溅射

详细描述一种等离子体高效溅射系统及应用工艺。此种崭新的溅射技术结合了蒸发镀的高效及溅射镀的高性能特点, 特别在多元合金以及磁性薄膜的制备, 具有其他手段无可比拟的优点。
新型等离子体束溅射镀膜机

本文介绍了新型的等离子体束溅射镀膜机的系统组成、特点、试验结果等内容。该镀膜机将等离子体发生和控制技术应用于溅射镀膜中，克服了磁控溅射的靶材利用率低及难以沉积铁磁性材料的缺点。
电子束蒸发制备CdS多晶薄膜及性质研究

采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了硫化镉(CdS) 多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及光透过率的影响。
固溶体半导体Zn1-xMgxS薄膜性质研究

以ZnS、Mg粉末为原料,应用双源真空蒸镀法,在石英玻璃衬底上成功地制备了不同Mg含量x的三元固溶体半导体Zn12xMgxS 薄膜。
不同衬底温度下预沉积Ge对SiC薄膜生长的影响

分别在未沉积Ge 和不同衬底温度(300、500、700 ℃) 沉积Ge条件下,利用固源分子束外延(SSMBE) 技术在Si衬底上外延SiC薄膜。通过反射式高能电子衍射(RHEED) 、X射线衍射(XRD) 、原子力显微镜(AFM) 和傅里叶变换红外光
PET纤维基AZO透明导电薄膜溅射工艺参数的优化

室温下,结合正交实验表,用射频磁控溅射在涤纶(PET)非织造布基材上生长AZO(Al2O3:ZnO)纳米结构薄膜。采用四探针测量仪测试AZO薄膜的方块电阻,用原子力显微镜(AFM)分析薄膜微结构;通过正交分析法对实验L9(33)AZO薄膜的
在线紫外辐照辅助沉积柔性ITO薄膜的研究

本文在射频磁控溅射过程中,引入在线紫外辐照,室温条件下在有机衬底上制备柔性ITO薄膜的工艺,其最低方块电阻为5Ω ,电阻率为2.5×10-4Ω·cm ,透光率为92% ,远远优于未采用紫外辐照制备的柔性ITO薄膜。
介电/半导体复合薄膜生长控制

结合当前国内外在介电和半导体复合薄膜生长的研究进展情况, 介绍和讨论了我们近期在氧化物介电材料与半导体GaN复合薄膜生长与界面控制方面的一些研究结果.
超音速电弧喷涂技术

超音速电弧喷涂是最新研制出的制备表面防腐耐磨涂层的新技术,能广泛用于防腐、修复和机械制造等领域。
负偏压对磁控溅射氧化铝薄膜的影响

适当的负偏压影响磁控溅射Al2O3薄膜的性能，有利于获得高阻隔性的包装材料。
ITO薄膜成份的深度分布和相结构XPS分析

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ITO薄膜的磁控溅射关键工艺参数的优化

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CuAlO2的结构和能带特点

从理论上讲CuAlO2具有较高的热电优值，材料具有比较高的Seebeck系数和电导率,同时层状结构有利于声子散射,降低热导率。
氧化锌(ZnO)薄膜的性能分析

从ZnO薄膜的晶体结构、光学性能、电学性能、光电特性、气敏特性等方面综述了ZnO 的研究重点和应用前景。
氧化锌(ZnO)薄膜的结构分析

ZnO薄膜为宽带隙半导体，禁带宽度约3.3eV，晶体结构为六方形纤锌矿结构。优质的ZnO薄膜具有C轴择优取向生长的众多晶粒，每个晶粒都是生长良好的六方形纤锌矿结构。