真空镀膜_真空镀膜原理_溅射镀膜_气相沉积

真空镀膜

真空技术网>真空应用>真空镀膜>

推荐电镀污水中有机污染物去除工艺

电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

真空镀铝膜耐曲揉性(揉搓性)检测

被视为铝箔代替品的真空镀铝材料，在耐折性、韧性上已有很大的改进，但要想确保其在经过曲揉后的综合性能进而确保产品的包装安全，对其进行耐曲揉性检测是不可或缺的重要手段。
Cu/In原子比及硫化温度对于CuInS2薄膜性能影响

采用中频交流磁控溅射方法，在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜，采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原子比及硫化温度对于CIS薄膜结构及禁带宽度影响。
采用真空镀膜制备的叠层结构有机场效应晶体管的研究

报道了一种叠层结构有机场效应管，它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。
PVD(物理气相沉积)简介

PVD就是物理气相沉积，英文就是Physical Vapor Deposition。
利用朗缪尔双探针诊断电弧离子镀等离子体参数

本文利用朗缪尔双探针对电弧离子镀等离子体进行了诊断。双探针具有收集电流小的优点 ,可以避免探针在高密度电弧离子镀等离子体中被烧坏。
纳米TiO2/ITO复合薄膜的光诱导亲水性研究

本文采用直流反应磁控溅射法及能量过滤磁控溅射技术,以玻璃为衬底制备了纳米TiO2薄膜和纳米TiO2/ITO复合薄膜。
强磁场下真空蒸发Zn薄膜晶粒细化研究

分别在1T,2T和3T强磁场下采用真空蒸发沉积制备了三种相同厚度的Zn薄膜,并和无磁场下制备的薄膜进行了对比研究。
Zn掺杂TiO2薄膜紫外探测器及其光电性能研究

采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜，用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。并用此材料制备Au/TiO2/Au结构MSM光电导型薄膜紫外光探测器，研究其光电特性。
导电薄膜电阻测量技术的可靠性研究

针对手提式薄膜方块电阻测试仪在使用中容易出现的问题，进行分析研究，提出了解决方案，并在实验中得到实现。
NaCl盐膜对铝青铜高温氧化行为的影响

采用金相检验、X射线衍射、扫描电镜/能谱及热重分析法研究了涂有NaCl盐膜的铝青铜在700～900℃的氧化行为。
CVD技术的应用与进展

论述了化学气相沉积(CVD)技术的工作原理,与其他表面硬化技术相比的特点,应用领域,以及近年来CVD技术的发展。
p-ZnO薄膜的掺杂研究现状

如何进行掺杂获得高质量的p型ZnO薄膜一直是ZnO研究领域的难点和热点。
ZnO薄膜的p型掺杂难度

p型ZnO薄膜难以制备的原因主要是由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷而导致的自补偿效应。
VOx/TiOx/Ti多层薄膜的制备工艺与内耗研究

用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体结构、电阻、内耗。
一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统

由于薄膜生长均匀、沉积速率和膜厚易控、可制备大面积薄膜等特点，电子束沉积技术在超导薄膜、多层巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究。
氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的影响

研究了低能量离氧子束流密度在离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜中的作用.
真空镀铝纸与薄膜的气体透过率测试方法

作为阻隔性材料的真空镀铝纸和膜，通常以氧气透过率和水蒸气透过率两项指标来考核其阻隔性能。
准分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行为的研究

利用KrF准分子激光对非晶硅薄膜的表层进行了晶化。研究了激光能量密度和照射脉冲数对薄膜结晶度的影响，并对晶化后薄膜的形貌和结构进行了表征。
塑料表面溅射电磁屏蔽膜的研究

本文采用磁控溅射技术在聚酯塑料上制备出附着力大于5MPa、2GHz~4GHz频率范围内屏蔽效能大于60dB的复合结构的电磁屏蔽膜，并研究了导电膜、导磁膜及其复合膜层的电磁屏蔽特性。
基底温度对四元叠层硒化法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的影响

利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒（缩写为CIGS）薄膜，重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中，基底温度对CIGS薄膜的晶体结构，表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响。