电磁阴极磁场分布对磁控溅射系统伏安特性的影响

设计了一种新型圆形平面阴极磁控溅射源

沉积温度对高温超导带材YBiO3缓冲层外延生长的影响

采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在LaAlO3(001)基片上研究了沉积温度对用作高温超导带材缓冲层YBiO3结晶的影响。

多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu(In1- xAlx)Se2薄膜的研究

用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀Cu-In-Al多层膜，后采用真空硒化退火获得Al 含量不同的Cu(In1-xAlx)Se2多晶薄膜。

Cr/Al双层纳米薄膜的力学性能测试及其仿真分析

采用纳米压痕仪测量Cr/Al双层纳米薄膜的力学性能，结合有限元仿真的手段对压痕测试进行模拟。

微米及纳米金刚石薄膜的制备及其组织性能研究

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法在铜衬底上沉积了微米和纳米两种金刚石薄膜，过渡层均为钛－铝－钼。

掺磷纳米硅薄膜的制备及介观力学性质与介观接触电阻的研究

通过严格控制薄膜生长的工艺参数，得到了掺磷纳米硅薄膜，并通过原位纳米力学电学测试系统对其力学和电学性质进行测试

衬底H等离子体预处理时间对微晶硅薄膜生长的影响

采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜，通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了衬底表面预处理时间对微晶硅薄膜的微结构及其生长的影响。

Pr掺杂ZnTe薄膜的结构及光学特性

利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜，并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Pr的掺杂。

氢化微晶硅薄膜的两因素优化及高速沉积

采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术(VHF-PECVD) 分别对薄膜沉积参数进行了功率密度—沉积气压和硅烷浓度—气体总流量两因素优化

非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能研究

采用非平衡磁控溅射技术,通过改变氮气和氩气分压比P(N2)/P(Ar),在钛合金(Ti6Al4V)表面制备出不同结构及性能的氮化硅薄膜。

沉积在液体基底上银薄膜的表面形貌及内应力释放机制

利用直流磁控溅射方法在液体(硅油) 基底表面成功制备出具有自由支撑边界条件的金属银薄膜系统,研究了该薄膜的形成机理、表面形貌演化规律及内应力释放机制。

直接在金属基片上生长超长宏观定向纳米碳纤维

P型透明导电SnO2薄膜的研究进展

制备高质量的n型和p型SnO2是实现SnO2薄膜光电器件应用的关键。n型SnO2薄膜的制备已经很成熟。

硬质薄膜技术的最新发展

介绍了硬质薄膜技术的最新发展状况,阐述了各技术的特点和代表厂商。

脉冲激光沉积ZrW2O8/ZrO2复合薄膜及其靶材制备

采用化学共沉淀法合成26wt %ZrW2O8/ ZrO2近零膨胀复合陶瓷靶材,并以脉冲激光法在石英基片上沉积制备了ZrW2O8/ZrO2复合薄膜。

离子束溅射制备CuInSe2薄膜的研究

利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2 薄膜。通过X射线衍射仪 、原子力显微镜和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的薄膜的微结构、表面形貌和光学性能。

工业纯铁等离子体氮化及Ti/TiN多层薄膜沉积复合处理研究

采用低偏压高频等离子浸没离子注入及氮化技术(HLPⅢ) 对工业纯铁进行表面改性,然后利用非平衡磁控溅射技术(UBMS) 在低压高频等离子浸没离子注入及氮化处理样品表面制备Ti/TiN多层膜。

电子束蒸发法制备掺钇稳定氧化锆薄膜的光学特性研究

利用电子束蒸镀方法在单晶硅和石英玻璃上制备了掺不同Y2O3 浓度的掺钇稳定ZrO2薄膜(YSZ) ,用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和透射光谱测定薄膜的结构、表面特性和光学性能,研究了退火对薄膜结构和光学性能

等离子体发射监控系统参与的中频孪生反应磁控溅射沉积TiO2薄膜的实验研究

磁控溅射薄膜生长全过程的计算机模拟研究

本文结合了PIC ,MC , EAM,CIC 等方法对整个等离子体磁控溅射成膜过程进行了多尺度的计算机模拟,并系统研究了磁控溅射成膜过程中基板温度、磁场分布、靶材-基板间距等参数对成膜的影响。