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真空镀膜

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电镀废水中的有机污染物来源主要有3个方面：镀前处理、电镀过程和镀后处理。污水中有机污染物的3种去除方法：生化法、微波化学法和物化法。

AlN纳米锥的图案化生长及场发射性能研究

通过引入钼网作为掩膜发展了一条简单的制备图案化AlN 纳米锥的方法。
缝纫机针杆表面沉积含过渡层DLC薄膜及性能的研究

同时放入缝纫机针杆（不锈钢）、WC 合金、Si 片，并分别制备了DLC、Cr/DLC、Cr/CrC/DLC 三种膜层结构的DLC 薄膜，并对薄膜的表面形貌和性能进行了研究。
磁控溅射靶的磁路设计

本文中的磁场设计, 提高了磁力线平行靶面的范围, 对靶面的均匀溅射和靶材的利用率与通常的磁场结构相比有很大的提高。
一种全靶腐蚀磁控溅射设备

基于一种利用磁场将等离子体产生与溅射分开的这种结构构造了一个实验平台对其进行了研究, 实现了全靶腐蚀, 提高了系统的稳定性。
基于Parylene的球形凸起微电极阵列的研究

设计了整个制备柔性微电极阵列的工艺流程，并成功制备了球形凸起微电极阵列的样品。
电沉积法制备CuInS2薄膜

采用单步电沉积法和两步电沉积法在Mo基底上制备CuInS2薄膜，用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构和形貌，用能量散射仪(EDX)测试了样品中各元素含量。
基于单片机和CPLD的无线膜厚监测系统

阐述了一种基于单片机和复杂可编程逻辑器件(CPLD)的无线膜厚监测系统的功能、结构、硬件、软件等原理及其实现。
CVD法制备单根磷掺杂P型ZnO纳米线

通过CVD 方法制备得到了磷掺杂的 ZnO 纳米线，用扫描电子显微镜（SEM）、X 射线衍射（XRD）、光致发光谱（PL）、拉曼（Raman）等多种表征手段对制备得到的样品进行了表征。
用基于真空喷雾法制备的梯度结构来提高聚合物发光器件的光强

制备的具有梯度结构的聚合物发光器件发出光的强度，比用旋涂法和真空喷雾法所制备的单纯高分子发光器件和混合结构的高分子发光器件更高
应用于CIGS太阳能电池窗口层的透明导电氧化物AZO薄膜的制备与研究

采用射频磁控溅射技术，在常温条件下，制备出了性能优良的透明导电AZO薄膜薄膜。
单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能

用一种简单的气相合成方法成功地制备出了大量高纯单晶氮化硅（α-Si3N4）纳米线，氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带（波长从500~700 nm），发光峰位于567 nm。
单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备

采用一种简单的热蒸法制备单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线。
卷绕式镀膜机张力控制的改进及Matlab仿真

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导电薄膜电阻测量技术的可靠性研究

针对手提式薄膜方块电阻测试仪在使用中容易出现的问题，进行分析研究，提出了解决方案，并在实验中得到实现。
一种新型基于TiO2半导体薄膜的电致变色阵列器件

基于TiO2半导体薄膜的电致变色器件具有很高的稳定性，在未来显示领域“电子纸”的商业化进程中具有很大的竞争潜力
DBD-PECVD法制备CN薄膜的结构及性能研究

采用介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD) 法,分别以CH4/N2、C2H2/N2、C2H4/N2混合气体作为反应气体,在单晶硅片上成功制备了CN薄膜。
磁控溅射制备(Ti,Al,Cr)N硬质薄膜及其力学性能的研究

采用超高真空反应磁控共溅射在不锈钢基体上成功制备TiAlCrN薄膜。通过改变Cr靶溅射功率得到不同表面形貌、不同力学性能的TiAlCrN薄膜。
纳米ZnO/CdSe@ZnS量子点自组装荧光薄膜的制备

采用GDARE技术制备了ZnO纳米颗粒膜，XRD分析表明晶粒生长主要沿着（002）晶面，薄膜呈现为有一定择优取向生长的多晶结构，AFM图像观察到其平均粒径为50–80nm。
磁控溅射带电粒子的运动分布以及靶面刻蚀形貌的研究

利用有限元软件ANSYS和数值分析软件MATLAB仿真了磁控溅射中电磁场的分布，结合受力分析和运动理论得到了粒子在空间区域内的运动以及它们在靶面附近的位置分布特点。
Cr/CrN多层膜的结构及腐蚀性能研究

利用电弧离子镀设备，在45#钢基体上制备了两种调制比的Cr/CrN多层膜。采用X 射线衍射技术(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子探针(EPMA)、M273A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、横截面元素分布、模拟海