中频磁控反应溅射AlN薄膜及微观结构研究

采用中频磁控反应溅射工艺进行了氮化铝薄膜的制备，对沉积速率、晶体结构和表面形貌与氮气流量和溅射功率之间的变化关系进行了研究

磁控溅射法制备铁氧体薄膜的界面结合强度研究

利用磁控溅射法在单硅晶基底和玻璃基底上沉积铁氧体薄膜，采用AFM 观察薄膜的微观形貌，采用划痕法测试薄膜的界面结合强度。

磁控溅射技术无铅金属化技术在电子行业的应用

磁控溅射是一种物理气相沉积技术，工艺本身是一种环保技术，膜材的适应性很广，在绿色制造中由其明显的技术优势。

溅射工作气压对Fe/Si3N4多层膜微波磁性的影响

在不同的溅射气压下,采用连续磁控溅射制备了Fe/Si3N4多层膜,探讨了溅射气压对多层膜微波磁性的影响

磁控溅射TiN/Cu-Zn纳米多层膜腐蚀和抗菌性能研究

采用双靶磁控溅射的方法在不锈钢表面沉积了TiN/Cu-Zn纳米多层膜,研究了多层结构对膜层耐腐蚀性能和抗菌性能的影响,以及表面腐蚀与抗菌的关系

封闭磁场非平衡磁控溅射偏压对CrN镀层摩擦学性能影响

用划痕法测定了镀层结合强度、用球- 盘方法测定了镀层摩擦系数和比磨损率、用压入法评价镀层韧性,硬度测试在维氏硬度计上进行

反应磁控溅射沉积SiOx薄膜制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅不可行性研究

探讨反应磁控溅射不宜用于制备镶嵌在二氧化硅介质中纳米晶硅(nc2Si/SiO2)的前驱体SiOx膜的原因

电磁阴极磁场分布对磁控溅射系统伏安特性的影响

设计了一种新型圆形平面阴极磁控溅射源

非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能研究

采用非平衡磁控溅射技术,通过改变氮气和氩气分压比P(N2)/P(Ar),在钛合金(Ti6Al4V)表面制备出不同结构及性能的氮化硅薄膜。

离子束溅射制备CuInSe2薄膜的研究

利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2 薄膜。通过X射线衍射仪 、原子力显微镜和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的薄膜的微结构、表面形貌和光学性能。

等离子体发射监控系统参与的中频孪生反应磁控溅射沉积TiO2薄膜的实验研究

磁控溅射薄膜生长全过程的计算机模拟研究

本文结合了PIC ,MC , EAM,CIC 等方法对整个等离子体磁控溅射成膜过程进行了多尺度的计算机模拟,并系统研究了磁控溅射成膜过程中基板温度、磁场分布、靶材-基板间距等参数对成膜的影响。

磁控溅射靶的磁路设计

本文中的磁场设计, 提高了磁力线平行靶面的范围, 对靶面的均匀溅射和靶材的利用率与通常的磁场结构相比有很大的提高。

一种全靶腐蚀磁控溅射设备

基于一种利用磁场将等离子体产生与溅射分开的这种结构构造了一个实验平台对其进行了研究, 实现了全靶腐蚀, 提高了系统的稳定性。

磁控溅射制备(Ti,Al,Cr)N硬质薄膜及其力学性能的研究

采用超高真空反应磁控共溅射在不锈钢基体上成功制备TiAlCrN薄膜。通过改变Cr靶溅射功率得到不同表面形貌、不同力学性能的TiAlCrN薄膜。

磁控溅射带电粒子的运动分布以及靶面刻蚀形貌的研究

利用有限元软件ANSYS和数值分析软件MATLAB仿真了磁控溅射中电磁场的分布，结合受力分析和运动理论得到了粒子在空间区域内的运动以及它们在靶面附近的位置分布特点。

塑料表面溅射电磁屏蔽膜的研究

本文采用磁控溅射技术在聚酯塑料上制备出附着力大于5MPa、2GHz~4GHz频率范围内屏蔽效能大于60dB的复合结构的电磁屏蔽膜，并研究了导电膜、导磁膜及其复合膜层的电磁屏蔽特性。

直流反应磁控溅射在3003铝箔表面制备薄膜的研究

为有效提高3003铝箔表面光泽度、比面积及强硬度，采用直流反应磁控溅射的方法，在一定溅射参数条件下，选用高纯钼靶和钛靶对3003铝箔进行溅射实验。

一种崭新的镀膜技术——等离子体束溅射

详细描述一种等离子体高效溅射系统及应用工艺。此种崭新的溅射技术结合了蒸发镀的高效及溅射镀的高性能特点, 特别在多元合金以及磁性薄膜的制备, 具有其他手段无可比拟的优点。

新型等离子体束溅射镀膜机

本文介绍了新型的等离子体束溅射镀膜机的系统组成、特点、试验结果等内容。该镀膜机将等离子体发生和控制技术应用于溅射镀膜中，克服了磁控溅射的靶材利用率低及难以沉积铁磁性材料的缺点。