真空溅射镀膜_离子溅射镀膜_磁控溅射镀膜_射频溅射镀膜

溅射镀膜

真空技术网>真空应用>溅射镀膜>

推荐磁控溅射铁磁性靶材的主要方法

由于磁控溅射铁磁性靶材的难点是靶材表面的磁场达不到正常磁控溅射时要求的磁场强度，因此解决的思路是增加铁磁性靶材表面剩磁的强度。

半球形工件内表面溅射镀膜的膜厚均匀性研究

本文分别建立了计算模型，将圆平面靶的溅射区域简化为线形圆环跑道，在靶材表面余弦发射、空间直线飞行的基本假设下，推导得到了各自的半球形工件内表面上的膜厚分布计算公式。
择优溅射对深度剖析谱和深度分辨率的影响

择优溅射是深度剖析实验中导致所测量元素的成分分布偏离实际的一个重要因素。
高频半桥直流磁控溅射电源设计

稳定可靠的直流电源是直流磁控溅射镀膜质量的关键，本文采用开关频率为50 kHz 的半桥拓扑，对主回路结构和参数进行设计。
磁控溅射法制备NiZnCo铁氧体磁性薄膜的后退火处理研究

研究了后退火处理对磁控溅射法制备NiZnCo 铁氧体磁性薄膜的成分、组织及性能影响。
气压及偏压对磁控溅射TaN薄膜力学性能影响

采用电子回旋共振增强磁控溅射在不锈钢基体上制备六方相TaN薄膜,并研究了气压及偏压对TaN薄膜结构、力学性能的影响。
直流磁控共溅射制备Zn-Sb 热电薄膜的研究

本文选取纯度为99.99%的Zn 和Sb 金属靶作为靶材，采用直流磁控共溅射技术，制备Zn-Sb 合金热电薄膜，研究不同热处理条件下合成的Zn-Sb 化合物热电薄膜的结构与热电特性变化规律。
影响磁控溅射制备TiO2 薄膜性能的因素研究

从研究制备条件对Ti02薄膜的透射率及光学常数的影响出发，利用分光光度计测量薄膜的透射率，椭圆偏振光谱仪作为确定薄膜光学参数的测试仪器，研究了不同制备条件对Ti02薄膜光学特性的影响。
离子源对中频反应溅射沉积AlN 薄膜结构和性能的影响

本文采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术沉积AlN 薄膜，通过中频反应磁控溅射解决了因“靶中毒”引起的“打火”和沉积速率大幅度下降的问题;同时利用离子源辅助沉积，进一步提高离化率，从而提高所沉积薄膜的质量。
高功率脉冲磁控溅射试验平台设计及放电特性研究

高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)因其高离化率而得到广泛关注，是目前的热点研究方向，为此我们搭建了试验平台并对HPPMS 的放电特性进行了研究。
离轴溅射法生长的BiFeO3 外延薄膜及其交换偏置效应

多铁性BiFeO3 薄膜吸引了人们广泛的关注，并且有望应用于磁电器件、自旋电子器件和微波器件等领域
反应溅射外延半金属Fe3O4薄膜的各向异性和界面耦合

半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858 K)和理论上100%的自旋极化率，是自旋电子学器件的理想候选材料。
磁控靶材面积与承载功率范围及实际承载功率

磁控靶材面积与承载功率范围及实际承载功率
磁控靶溅射沉积率的影响因素

溅射沉积率是表征成膜速度的参数，其沉积率高低除了与工作气体的种类与压力、靶材种类与“溅射刻蚀区“的面积大小、靶面温度与靶面磁场强度、靶源与基片的间距等影响因素外。
影响磁控靶溅射电压的几个因素

影响磁控靶溅射电压的主要因素有：靶面磁场、靶材材质、气体压强、阴-阳极间距等。
影响磁控靶点火电压的几个因素

影响磁控靶点火电压的因素主要包括：气体压力、电源以及靶材。
磁控阴极溅射靶的分类

磁控阴极溅射靶，它既是一个真空镀膜机械零部件,同时也是一个电力电子元器件。
磁控溅射及磁控溅射产生的条件-磁控溅射基本原理与工况

本文讲解了磁控溅射镀膜靶电源一文中磁控溅射基本原理与工况章节的磁控溅射以及磁控溅射产生的条件等相关的内容。
阴极溅射与溅射阀值能量-磁控溅射基本原理与工况

本文讲解了磁控溅射镀膜靶电源一文中磁控溅射基本原理与工况章节的阴极溅射与溅射阀值能量的内容。
辉光放电与等离子体-磁控溅射基本原理与工况

本文讲解了磁控溅射镀膜靶电源一文中磁控溅射基本原理与工况章节的辉光放电与等离子体的内容。
溅射镀膜真空环境-磁控溅射基本原理与工况

本文讲述了磁控溅射基本原理与工况中的溅射镀膜真空环境。