电子产品溅射镀膜使用的靶材

电子产品溅射镀膜使用的靶材通常有三种类型：金属靶材、合金靶材、化合物靶材。

磁控溅射镀膜不均匀的成因

造成磁控溅射镀膜不均匀的原因有很多，但把握好真空镀膜机的正确操作，那么镀膜成功的概率就会高很多。

工况参数对类金刚石膜摩擦学性能的影响

采用非平衡磁控溅射技术在高速钢基体上以C2H2为反应气源制备了含氢类金刚石(DLC)膜。

压电陶瓷阀特性在反应溅射AlN参数设置中的应用

本文主要讲述了压电陶瓷阀特性在反应溅射AlN参数设置中的应用。

气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化速率

本文描述了气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化速率实验情况。

气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的温度特性

本文讲述了气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的温度特性。

气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的迟滞特性

本文讲述了气体流量随压电陶瓷阀偏置电压变化的迟滞特性。

压电陶瓷阀在真空磁控反应溅射中的特性

在真空磁控溅射镀膜线上, 采用PCV25型压电陶瓷阀作为反应气体流量输出的驱动元件。研究了不同环境温度下压电阀偏置电压Vo对N2输出流量Q的影响。

掺钼氧化锌薄膜的发光特性

使用磁控溅射法在石英基底上制备钼掺杂氧化锌薄膜。

不锈钢双极板表面Cr与Cr2N镀层导电与耐蚀性研究

采用等离子体磁控溅射的方法在304不锈钢双极板表面沉积出致密均匀的Cr层和Cr2N层，研究了表面镀层对不锈钢双极板导电和耐腐蚀性能的影响。

采用真空磁控反应溅射和沸水氧化法制备Al2O3增透膜

在玻璃基片上采用金属Al 靶在溅射气体Ar 和反应气体O2 的混合气体中，真空磁控溅射半透明的Al- Al2O3金属陶瓷薄膜，再将沉积薄膜的玻璃基片浸入沸腾的去离子水中氧化，制备成陶瓷增透膜。

基于InGaN量子点的GaN盖层生长条件优化

本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长有GaN 盖层的InGaN 量子点，研究不同外延生长条件下的GaN 盖层表面形貌和光学性质。

Sn掺杂ZnO膜的共溅射制备及性能研究

溅射气压对PI衬底CIGS薄膜太阳电池Mo背电极的影响

本文采用直流磁控溅射方法在PI 上沉积Mo 背电极，研究不同溅射气压对Mo 薄膜电学特性、结构特性及对CIGS 薄膜太阳电池的影响。

磁控溅射MoS2/W复合薄膜的微结构与摩擦学性能研究

采用磁控溅射法, 用纯MoS2/ W 双靶在模具钢Cr12 和硅基片上溅射MoS2/ W 复合纳米薄膜, 通过X 射线衍射仪、能谱仪、扫描电子显微镜对薄膜的成分和结构进行分析。

Al-Sn共掺杂ZnO薄膜的结构与光电性能研究

在固定ZnO:Al(AZO) 靶溅射功率不变的条件下, 研究了Sn 靶溅射功率对ATZO 薄膜的结晶质量、表面形貌、电学和光学性能的影响。

高功率脉冲磁控溅射电源的研制

本论文介绍了一种HPPMS高功率脉冲磁控溅射电源, 该电源由充电电源、斩波输出两部分组成, 给出了主电路框图。

直流磁控溅射法在玻璃上沉积制备金属镍膜的研究

采用直流磁控溅射法在玻璃基板上制备的半透明镍膜，用原子力显微镜(AFM)分析溅射功率对镍膜的表面粗糙度的影响。

涂层结构对高铝含量Ti1-xAlxN 涂层高温氧化行为的影响

玻璃型镀铝二次表面镜的制备及其评价试验研究

介绍了兰州空间技术物理研究所镀铝OSR 的制备以及及其部分评价试验情况。