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溅射镀膜

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推荐磁控溅射铁磁性靶材的主要方法

由于磁控溅射铁磁性靶材的难点是靶材表面的磁场达不到正常磁控溅射时要求的磁场强度，因此解决的思路是增加铁磁性靶材表面剩磁的强度。

小靶材实现大平面基片均匀性膜层沉积的方法

本文针对常规磁控溅射设备存在的上述问题，提出了一种新的思路，设计改造了一种新型布局的磁控溅射设备，以解决小靶材溅射在较大基底沉积均匀性膜层的难题。
中频磁控溅射TiAlN薄膜的制备与性能研究

本文采用中频磁控溅射法，在硬质合金YG6上制备了TiAlN薄膜，通过XRD、SEM、EDS、体式显微镜、显微硬度仪和划痕仪分别对薄膜的相结构、表面与断口形貌、成分以及主要性能进行了测试分析。
旋转圆柱磁控溅射阴极设计和磁场强度分析计算

本文应用ANSYS 有限元方法模拟分析单旋转圆柱靶和孪生旋转圆柱磁控溅射阴极表面磁场分布规律。
溅射镀膜机理

溅射过程即为入射离子通过一系列碰撞进行能量交换的过程，入射离子转移到逸出的溅射原子上的能量大约只有原来能量的1%，大部分能量则通过级联碰撞而消耗在靶的表面层中，并转化为晶格的振动。
溅射镀膜现象

具有一定能量的离子入射到靶材表面时，入射离子与靶材中的原子和电子相互作用，出现一系列溅射镀膜现象，其一是引起靶材表面的粒子发射，包括溅射原子或分子、二次电子发射、正负离子发射、吸附杂质解吸和分解、光子
铁氧体表面耐高温Ni-V/Ag复合金属化薄膜的研究

在现有研究的基础上，提出了以磁控溅射Ni-V/Ag复合层作为铁氧体的金属化膜层，进一步将薄膜承受420℃高温无铅焊锡的时间提升到10s，并详细研究了高温下Ni-V/Ag膜层与焊锡的反应过程与金属间化合物(IMC)。
欠氧化气氛下等离子体辅助脉冲直流磁控溅射高纯度Al2O3薄膜

本文首先采用中频孪生靶非平衡闭合磁场脉冲直流反应磁控溅射方法，进行了Al2O3薄膜的工艺研究，包括溅射电压与氧流量的关系。在此基础上，提出了射频等离子体辅助溅射的方法，研究了射频等离子体源功率与Al2O3光学性
射频磁控溅射法制备TiSiN纳米复合涂层的结构与性能研究

本文采用工业上较为常用的射频磁控溅射工艺制备了TiSiN涂层，系统研究了不同溅射气压、不同基片温度以及不同N2/Ar气流比条件下TiSiN纳米复合涂层的微观结构与力学性能，并对TiSiN涂层的溅射工艺进行优化，以期为该涂
铝合金表面磁控溅射Cu膜的镀制及其低温钎焊性能研究

Ti作为过渡层可改善膜基结合力，本文采用离子注入技术与磁控溅射镀膜结合的方法对铝合金进行表面改性，主要考察了磁控溅射镀膜中基体偏压对薄膜沉积速率、表面形貌、相结构以及低温钎焊性能的影响。
影响真空溅射用射频电源特性因素的研究

本文主要研究了射频电源的功率转换效率和频率稳定性的影响因素，分析了E 类功率放大器的工作特性，推演了最大输出功率;设计了射频电源驱动级电路，并对其进行了实验测试。
氧掺杂对磁控溅射ZAO薄膜性能的影响

本文使用可进行较大面积镀膜的溅射镀膜线对玻璃基片进行ZAO薄膜的制备，研究氧掺杂对ZAO薄膜性能的影响，验证其对于实际生产的应用价值。
磁控溅射纳米复合涂层性能研究

本文通过双靶反应磁控溅射的方法制备得到了一系列Cu含量不同的A-lCu-N涂层，将Cu含量最高扩展到了17.0%。
平面磁控溅射靶磁场的模拟优化设计

本文根据磁控溅射靶的特点，基于ANSYS软件模拟了二维磁控溅射靶磁场的分布，提出一种采用两磁导片结构来改善磁控溅射靶面水平磁场分布的方法。
孪生磁控溅射制备氮化铬涂层的研究

本文的主要目的是利用中频磁控溅射技术优势制备CrNx涂层并研究氮气流量对涂层结构、耐腐蚀等性能的影响。
反应磁控溅射技术的发展情况及趋势

综述了反应磁控溅射技术的发展情况。分析了模拟反应磁控溅射的“Berg”经典模型;详述了反应磁控溅射过程中迟滞效应和打火现象的产生原理及过程;分析了消除迟滞效应和打火现象的各种方法并提出个人的观点;展望了反应
磁控溅射掺铜TiO2薄膜光学特性的分析

本文采用了磁控溅射法制备Cu掺杂TiO2薄膜，分析了Cu 的掺杂量对TiO2薄膜吸光度，禁带宽度的影响，探究Cu在TiO2薄膜中的形态特征。
氮流量比对直流/射频磁控溅射CrN涂层耐腐蚀性的影响

本文采用线性极化曲线的方法计算极化电阻，并利用测得的动态极化曲线获得腐蚀电流icorr。采用Sirion场发射扫描电子显微镜(SEM)观察涂层腐蚀前后的形貌，并测定涂层厚度。
XJPD-900磁控溅射设备的控制软件编程及工艺试验

本文对XJPD-900磁控溅射生产线的控制系统进行了设计，重点对应用PLC和iFix组态软件实现工艺过程自动控制以及EXCEL表格数据存储等的程序做了设计分析，完成了整机的工艺试验。
双靶共溅射TiAl系高温耐磨薄膜制备与研究

本实验采用纯金属铝和钛作为双靶，通过改变基体相对于靶材的溅射位置，在同一次溅射过程中，制备了一系列大范围成份变化的Ti-Al系金属间化合物薄膜。
金属/多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究

本文研究了几种金属在多晶锗硅薄膜上的肖特基接触特性。