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SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100) 衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜, 并研究了Au/SrHfON/Si MOS 电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。
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真空环境中多场耦合对Au/Cu/Si薄膜界面结构的影响
采用磁控溅射方法在Si基底上制备了Au/Cu薄膜。利用扫描俄歇微探针纳米化分析技术进行表面成分分析与深度剖析, 研究在真空环境中, 紫外辐照、微氧氧含量及处理温度等因素作用对Au/ Cu薄膜界面结构的影响。
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直流磁控溅射中磁场强度和阴极电压对圆平面靶刻蚀形貌的影响
本文借助Comsol和Matlab软件模拟了直流磁控溅射圆平面靶系统的磁场分布和荷电粒子分布,对不同磁场强度和阴极电压条件下的荷电粒子分布进行了模拟分析。
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射频磁控溅射沉积Al/Al2O3纳米多层膜的结构及性能
运用射频磁控溅射技术在Si(100) 基片及40Cr钢基体上制备了调制周期K= 60nm, 调制比G= 0.25~3的Al/A12O3纳米多层膜。
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